實(shí)驗(yàn)材料：直徑為2英寸的硅片、硫酸鈉溶液，實(shí)驗(yàn)所用材料如圖1所示：

圖1 實(shí)驗(yàn)所用硅片圖

實(shí)驗(yàn)?zāi)康模河肞TL-NMB納米提拉機(jī)對(duì)硅片表面進(jìn)行雙面涂膜，觀察薄膜液體在硅片表面的沉積狀況。

實(shí)驗(yàn)設(shè)備：PTL-NMB納米提拉機(jī)、PCE-6V等離子清洗機(jī)

提拉涂膜特點(diǎn)：提拉機(jī)是利用溶液彎月面的行為，在基板與溶液面的取出點(diǎn)處，以控制沉積膜的厚度和性質(zhì)。作用在取出溶液上的重力，溶液的毛細(xì)力，表面張力和慣性力之間的相互作用最終決定了沉積在基底上的溶液量。使用提拉機(jī)涂膜可以同時(shí)涂覆出雙面的薄膜，通過(guò)控制提拉速度來(lái)控制樣品表面所涂薄膜的厚度，一般提拉速度較慢制備出的樣品厚度較薄，提拉速度較快制備出的薄膜較厚。

PTL-NMB納米級(jí)恒溫提拉涂膜機(jī)	PCE-6V小型等離子清洗機(jī)

圖2 實(shí)驗(yàn)所用設(shè)備圖

實(shí)驗(yàn)過(guò)程：

環(huán)境要求：提拉機(jī)所放置臺(tái)面應(yīng)平穩(wěn)，不應(yīng)有振動(dòng)或晃動(dòng)，室內(nèi)溫度應(yīng)控制在20-25℃，濕度應(yīng)在70%左右。

硅片清洗：硅片進(jìn)行等離子刻蝕之前用去離子水浸泡，以免外界環(huán)境對(duì)試樣表面造成污染。在提拉涂膜之前先使用丙酮將試樣表面的水漬清洗干凈，再用去離子水將硅片再次清洗，使硅片表面的丙酮清洗干凈，以免影響涂膜效果，最后使用PCE-6等離子清洗機(jī)對(duì)試樣進(jìn)行等離子刻蝕10min，進(jìn)行等離子刻蝕的試樣如圖3（2）所示（刻蝕后的試樣不能暴露在空氣中太久，一般不超過(guò)30min，否則刻蝕后的狀態(tài)有部分失效，將不利于薄膜液體在硅片表面附著）。

參數(shù)設(shè)置：將要涂膜的液體倒入150ml料液杯中，然后將要涂膜的硅片裝卡到試樣卡具上，準(zhǔn)備設(shè)置程序進(jìn)行涂膜。首先，將硅片整個(gè)浸入燒杯中的溶液中，然后設(shè)置向上的提拉速度為100nm/s，提拉高度設(shè)置為50㎜，經(jīng)計(jì)算所需時(shí)間約為139h，涂膜中的PTL-NMB納米提拉機(jī)如圖3（2）所示。

圖3 實(shí)驗(yàn)中的設(shè)備圖

（1）進(jìn)行等離子清洗的樣品	（2）涂膜中的設(shè)備圖

提拉4天的試樣如圖4（1）所示，提拉結(jié)束后的樣品如圖4（2）所示，通過(guò)5天的提拉實(shí)驗(yàn)，制備出如圖4（3）的試樣，由于設(shè)備運(yùn)行的速度為納米級(jí)別速度，因此運(yùn)行時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng)，試樣提拉出來(lái)后表面薄膜便逐漸干燥，由圖4（3）可見(jiàn)試樣表面有一層光亮的薄膜，肉眼可見(jiàn)薄膜在硅片表面呈均勻分布。

   （1）提拉4天的硅片樣品   （2）*提拉出來(lái)的硅片樣品  （3）表面薄膜晾干后的硅片樣品 

圖4 實(shí)驗(yàn)中的樣品圖

使用場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡對(duì)試樣進(jìn)行觀測(cè)，對(duì)樣品放大3千倍可見(jiàn)，在樣品表面布滿橫向的納米條紋。